Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR573E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR573
BCR573E6327HTSA1 Hakkında
BCR573E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500 mA kolektör akımı ve 330 mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Transistör, dahili ön beslemeli direnç ağı (R1=1kΩ, R2=10kΩ) ile entegre edilerek doğrudan lojik seviyesi sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Vce doyma voltajı 300 mV @ 50 mA olup, 50V breakdown gerilimi ile güvenli çalışma alanı sağlar. Güç yönetimi, sürücü devreler ve lojik seviyesi uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok