Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR562E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR562E6327
BCR562E6327HTSA1 Hakkında
BCR562E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paket ile sunulur. 330 mW güç kapasitesi ve 500 mA maksimum kolektör akımı ile entegre 4.7 kΩ base ve emitter-base direnç ağlarına sahiptir. 150 MHz transit frekansı ve 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi özellikleri bulunmaktadır. Düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılan kompakt bir çözümdür. Tüketici elektroniği, sensör uygulamaları ve mantık seviyesi sürücüler gibi alanlarda tercih edilir. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok