Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR555E6433HTMA1

TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR555

BCR555E6433HTMA1 Hakkında

BCR555E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 330mW maksimum güç tüketimi ve 500mA maksimum kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 150 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. İçerisinde entegre edilmiş 2.2kΩ ve 10kΩ direnç ağı sayesinde harici polarizasyon bileşenlerine ihtiyaç olmadan doğrudan kullanılabilir. 50V maksimum kollektör-emitter gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve küçük güç kontrolü uygulamalarında tercih edilir. Kompakt boyutu ve düşük güç dissipasyonu nedeniyle taşınabilir cihazlar ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın şekilde kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 150 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok