Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR555E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR555
BCR555E6327HTSA1 Hakkında
BCR555E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile çalışabilir. 150MHz transition frequency özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 2.2kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleriyle ön bias yapısı sayesinde doğrudan kullanıma hazırdır. Maksimum 330mW güç tüketimi ve 70 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle genel amaçlı switching ve amplification devrelerinde uygulanır. Surface mount montaj tipi ile yoğun entegrasyonlu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok