Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR553E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR553
BCR553E6327HTSA1 Hakkında
BCR553E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 500mA maksimum collector akımı ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile, endüstriyel kontrol sistemleri, sinyal işleme devreleri ve elektronik anahtarlar gibi uygulamalarda kullanılır. 150MHz transition frequency özelliği hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluk sağlar. Dahili ön beslemeli rezistörler (2.2kΩ base ve 2.2kΩ emitter-base) sayesinde basit devre tasarımı mümkün kılınır. 330mW maksimum güç derecelendirmesi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok