Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR533E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR533
BCR533E6327HTSA1 Hakkında
BCR533E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde surface mount olarak tasarlanmıştır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. Entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base direnç ağları sayesinde basit devre tasarımı sağlar. 100 MHz transition frequency ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirilebilir. 330mW maksimum güç tüketimi ve 70 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle düşük seviye sinyal işleme, anahtarlama, ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle aşamalı voltaj regülatörleri, fan kontrolü ve genel switching uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok