Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR523E6433HTMA1

TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR523

BCR523E6433HTMA1 Hakkında

BCR523E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz dirençleri (R1: 1 kΩ, R2: 10 kΩ) ile donatılmıştır. 330 mW güç derecelendirmesine sahip bu transistör, maksimum 500 mA kolektör akımı ve 100 MHz geçiş frekansı ile çalışabilir. 50 V kolektör-emitter kırılma voltajı ve minimum 70 hFE DC akım kazancı özellikleriyle dikkat çeker. Ön beslemeli tasarımı sayesinde basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Kompakt boyutu ve entegre baz ağıyla düşük bileşen sayısı gerektiren devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 100 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok