Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR523E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR523
BCR523E6327HTSA1 Hakkında
BCR523E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleriyle donatılmıştır. 500 mA maksimum kolektör akımı ve 330 mW güç disipasyonuna sahiptir. 100 MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 50 V breakdown voltajı ve düşük SAT voltajı (300 mV @ 50 mA) özellikleriyle, sinyal anahtarlama, mantık seviyeleri arasında geçiş, motor kontrol ve güç yönetimi gibi uygulamalarda yer alır. Baz direnci 1 kΩ ve emitter-baz direnci 10 kΩ ile önceden yapılandırılmıştır. Mevcut durumu itibariyle yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok