Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR512E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR512E6327
BCR512E6327HTSA1 Hakkında
BCR512E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli transistördür. Entegre base ve emitter direnç ağına sahip bu bileşen, küçük sinyal uygulamaları ve lojik seviye sürücüleri için tasarlanmıştır. 330mW güç dağıtma kapasitesi, 500mA maksimum kollektör akımı ve 50V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 100 MHz transition frequency karakteristiği, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiğinde tercih edilmesini sağlar. SOT-23-3 paket tipi, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar. Endüstriyel kontrol, sensör arayüzü ve darbe sürücü devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Not For New Designs statüsü nedeniyle yeni tasarımlar için alternatif değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok