Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR505E6327HTSA1

TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR505

BCR505E6327HTSA1 Hakkında

BCR505E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 330mW güç yönetim kapasitesine sahiptir. Gömülü baz dirençleriyle (R1: 2.2kΩ, R2: 10kΩ) önceden düzenlenmiş olup, entegre ön beslemeli yapısı sayesinde basit anahtarlama ve lojik uygulamalarında doğrudan kullanılabilir. 100MHz geçiş frekansı ve 50V Vce(br) derecelendirmesi ile genel amaçlı sinyal işleme, sürücü devreleri ve lojik arabirimleri uygulamalarına uygundur. Düşük güç tüketimi ve küçük boyutlu paketi, hassas ve kompakt tasarımlar gerektiren cihazlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 100 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 330 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok