Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR503E6393HTSA1
TRANS PREBIAS PNP SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR503
BCR503E6393HTSA1 Hakkında
BCR503E6393HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek entegrasyonlu ön beslemeli PNP transistördür. SOT-23-3 (TO-236) kompakt paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emiter dirençleriyle (her biri 2.2 kΩ) yapılandırılmıştır. Maksimum 500 mA kolektör akımı ve 330 mW güç dissipasyonu kapasitesi ile çeşitli uygulamalara uygun bir çözüm sunmaktadır. 100 MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. Analog ve dijital sinyal amplifikasyonu, anahtar uygulamaları, ve düşük güç aydınlatma kontrolü gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok