Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR503E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR503
BCR503E6327HTSA1 Hakkında
BCR503E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 paket içerisinde entegre edilmiş 2.2 kΩ base ve 2.2 kΩ emitter-base direnç ile birlikte gelir. Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile çalışabilir. 100 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC current gain değeri 50mA collector akımında 40'tır. 330mW maksimum güç tüketimiyle düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Genel sinyal işleme, darbe amplifisyonu ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Saturation voltajı 300mV'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok