Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
BCR22PNE6433HTMA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCR22PNE6433
BCR22PNE6433HTMA1 Hakkında
BCR22PNE6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual transistör entegresidir. Bir NPN ve bir PNP transistöründen oluşan ön beslemeli (pre-biased) yapı içerir. SOT-363 (6-VSSOP) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum collector akımı, 50V breakdown voltajı ve 250mW güç dağıtım kapasitesi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 22kΩ base ve emitter-base direnç değerleri ile ön beslemeli tasarım, harici bias direnci gereksinimleri azaltır. 130MHz transition frequency ile orta hız uygulamalarına uygundur. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren kompakt devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok