Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
BCR198SH6327XTSA1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCR198
BCR198SH6327XTSA1 Hakkında
BCR198SH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-363 (6-VSSOP) yüzey montajı paketi içerisinde iki adet PNP transistör ve ön beslemeli direnç ağını barındırır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile çeşitli uygulamalarda kullanılabilir. 190MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Sabit 47kOhm baz ve emitter baz dirençleri ile entegre edilen yapı, basit ve güvenilir ön beslemeli transistör konfigürasyonu sağlar. Sinyal işleme, voltaj regülasyonu ve düşük güç anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Toplam güç tüketimi maksimum 250mW ile sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok