Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR198E6433HTMA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR198
BCR198E6433HTMA1 Hakkında
BCR198E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ile çalışabilir. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V kollektör-emitör arasında gerilim dayanımı ile karakterize edilen transistör, 190MHz transit frekansına sahiptir. Entegre olarak tasarlanan 47kΩ'luk baz ve emitör-baz dirençleri ile hazır kullanım için önceden beslemeli olarak konfigüre edilmiştir. Düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, sinyali kıyaslama devreleri ve mantık seviyesi dönüştürme işlemlerinde kullanılır. Bileşen, yeni tasarımlar için önerilmemektedir ancak mevcut sistemlerin değiştirilmesi ve bakımında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 190 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok