Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR198E6393HTSA1
TRANS PREBIAS PNP SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR198
BCR198E6393HTSA1 Hakkında
BCR198E6393HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter rezistörleri (her biri 47 kΩ) içerir. 100 mA maksimum kolektör akımı, 190 MHz geçiş frekansı ve 50 V breakdown voltajı özelliklerine sahiptir. 5mA/5V koşullarında minimum 70 DC akım kazancı sağlar. Düşük güç tüketimi (200 mW) ve basit uygulama gerektirmesi nedeniyle anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu, lojik seviyeleri ayarlaması ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli tasarımı, harici biyaslandırma ağlarına olan ihtiyacı azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 190 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok