Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR198E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR198
BCR198E6327HTSA1 Hakkında
BCR198E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) gövdesinde sunulan bu komponent, entegre 47 kOhms baz ve emitter-baz direnç ağlarıyla donatılmıştır. 50V kesme voltajı, 100mA maksimum kollektör akımı ve 190 MHz geçiş frekansıyla, düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300mV saturasyon voltajı ve 70 minimum DC akım kazancı özelliğiyle, lojik seviye tahrikli kontrol devrelerinde, şarj pompaları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüzey monte montajla uyumlu tasarım, kompakt elektronik ürünlerde geniş kullanım alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 190 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok