Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR196E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR196
BCR196E6327HTSA1 Hakkında
BCR196E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimine sahiptir. Entegre 47kΩ ve 22kΩ base resistörleri ile donatılan transistör, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 70mA kolektör akımı, 150MHz transition frekansı ve 50V collector-emitter dökülme gerilimi ile düşük sinyal amplifikasyon, lojik seviyeleri çevirme ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Not For New Designs statüsü nedeniyle yeni tasarımlar için alternatif bileşen değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok