Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR192WH6327XTSA1
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR192
BCR192WH6327XTSA1 Hakkında
BCR192WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre tabanlı direnç ağı ile sağlanır. 250 mW güç yeteneği, 100 mA maksimum kolektör akımı ve 200 MHz geçiş frekansı ile düşük sinyalli anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. İç direnç yapısı (22kΩ taban, 47kΩ emitter-taban) sayesinde harici ön beslemeli dirençlere ihtiyaç duymaz. 50V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 300mV doyum voltajı ile genel amaçlı lojik seviye anahtarlama devrelerinde, sensör arayüzlerinde ve düşük güçlü işaret yönetiminde tercih edilir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok