Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR192WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR192
BCR192WE6327HTSA1 Hakkında
BCR192WE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistörüdür. SOT-323 (SC-70) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 250 mW güç kapasitesi ve 100 mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 200 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Dahili 22 kΩ base ve 47 kΩ emitter-base direnç ile önceden yüklü yapısı sayesinde harici biyaslandırma devrelerine ihtiyaç duymaz. 50 V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 300 mV doyma voltajı ile anahtarlama, ses amplifikasyon ve düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Düşük güçlü gömülü sistemler, sinyal işleme ve otomotiv kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok