Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR192E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR192
BCR192E6327HTSA1 Hakkında
BCR192E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. 200mW güç kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 200MHz geçiş frekansı özelliklerine sahiptir. Entegre 22kΩ taban direnci ve 47kΩ emiter-taban direnci ile hızlı anahtarlama ve ön yüklenmiş yapı sağlar. 50V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile orta gerilim uygulamalarında çalışabilir. Sinyal işleme, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı transistor uygulamalarında kullanılır. Yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Not For New Designs).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok