Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR191WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR191
BCR191WE6327HTSA1 Hakkında
BCR191WE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-323 (SC-70) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 250 mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 200 MHz transition frekansı ile dijital anahtarlama ve dar darbe işlemlerinde kullanılabilir. İçerisinde 22 kOhm base ve emitter-base direnç dirençleri bulunur. 50V maksimum VCE(Breakdwon) değeri ile güvenli çalışma marjı sağlar. Entegre ön beslemeli tasarımı sayesinde logic seviyeleri ile doğrudan uyumlu çalışır. Taşınabilir cihazlar, pil yönetim devreleri ve düşük güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok