Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR191E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR191
BCR191E6327HTSA1 Hakkında
BCR191E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitör dirençleri (her biri 22 kΩ) ile birlikte gelmektedir. 100 mA maksimum kolektör akımı, 200 MHz transition frekansı ve 50V emitör-kolektör breakdown voltajı ile karakterize edilen bu transistör, 200 mW güç sınırlaması içinde çalışır. Daha basit devre tasarımı gerektiren anahtarlama uygulamalarında, darbe ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Minimum 50 (hFE) akım kazancı (5mA, 5V'ta), düşük kesilme akımı (100nA ICBO) ve 300mV saturasyon voltajı (500µA baz akımı, 10mA kolektör akımında) sağlar. Ürün, yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok