Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR183E6433HTMA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR183
BCR183E6433HTMA1 Hakkında
BCR183E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, maksimum 200mW güç tüketimi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. İçerisinde entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunur. 50V collector-emitter voltaj derecesi, 100mA maksimum collector akımı ve 200MHz geçiş frekansı ile lojik seviyeleri sürme, sinyal anahtarlama ve küçük akım uygulamalarında çalışır. Özellikle kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB'lerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok