Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR183E6359HTMA1
TRANS PREBIAS PNP SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR183
BCR183E6359HTMA1 Hakkında
BCR183E6359HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre ön beslemeli dirençler (10 kOhms base ve emitter-base) içerir. 100 mA collector akımı, 200 MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi (maksimum 200 mW) nedeniyle taşınabilir cihazlar, IoT uygulamaları ve düşük güçlü sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Part Status olarak Last Time Buy olarak belirtilmiş olup ürün lifecycle'ının sonuna yaklaşmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok