Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR183E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR183
BCR183E6327HTSA1 Hakkında
BCR183E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, entegre 10 kΩ base ve emitter-base direnç ağlarına sahiptir. 50V maksimum collector-emitter gerilimi, 100mA collector akımı ve 200 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200 mW güç dağılımı kapasitesi ile röle kontrol, sinyal anahtarlama ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde yer alır. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı bias ağı gerektirmez ve tasarım kolaylığı sağlar. Maksimum 300mV doyma gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sunar. Küçük paket boyutu düşük yoğunluklu PCB tasarımlarında avantaj sağlar. Not For New Designs durumunda olduğu için yeni projelerde yerine geçen güncel alternatiflerin kontrol edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok