Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR169E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR169
BCR169E6327HTSA1 Hakkında
BCR169E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 200 mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 50V maksimum collector-emitter kırılma gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile sınırlı akım seviyelerinde çalışan devrelerde tercih edilir. Entegre 4.7kΩ baz direnci sayesinde harici bileşenlere olan ihtiyacı azaltır. 200MHz transition frequency ile düşük frekanslı sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Logic seviyeleri ile uyumlu ön beslemeli yapısı, basit anahtarlama devrelerinde kullanıma uygundur. Düşük güç tüketim gerektiren taşınabilir cihazlar, sensör arayüzleri ve sinyal koşullandırma uygulamalarında tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok