Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR166WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR166WE6327
BCR166WE6327HTSA1 Hakkında
BCR166WE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 250mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilmiştir. Dahili 4.7kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile ön beslemeli yapısı, basit anahtarlama uygulamalarında devreyi basitleştirmektedir. 160MHz transition frequency ve 70 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 50V maksimum collector-emitter reverse breakdown voltajı ile koruma sağlar. Genel amaçlı anahtarlama, darbe devreleri, ses frekansı amplifikasyon ve kontrol uygulamalarında kullanılır. Ürün hali hazırda kullanılmayan (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 160 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok