Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR166E6433HTMA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR166
BCR166E6433HTMA1 Hakkında
BCR166E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236-3) paket içerisinde entegre edilmiş olup, maksimum 200 mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Transistör içerisinde base direnci (4.7 kΩ) ve emitter-base direnci (47 kΩ) yapılandırılmıştır. Maksimum collector akımı 100 mA, DC akım kazancı (hFE) 70 @ 5mA/5V, transition frekansı 160 MHz özelliklerini taşır. Collector-emitter breakdown voltajı 50V'tur. Bu bileşen, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye dönüştürme devrelerinde kullanılır. Not For New Designs statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda yerini daha yeni alternatifler almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 160 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok