Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR166E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR166
BCR166E6327HTSA1 Hakkında
BCR166E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200 mW güç tüketimi ile çalışır. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 160 MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Entegre 4.7 kΩ base direnci ve 47 kΩ emitter-base direnci ile ön beslemeli yapısı sayesinde, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında direkt kullanılabilir. 50 V maksimum Vce Breakdown voltajı ile genel amaçlı sinyal işleme, anahtarlama devrelerinde ve düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 160 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok