Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR166B6327HTLA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR166
BCR166B6327HTLA1 Hakkında
BCR166B6327HTLA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) kompakt yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimine sahiptir. Entegre base ve emitter dirençleri (4.7kΩ ve 47kΩ) ile önceden yapılandırılmıştır, bu sayede bağımsız biasing dirençlerine gerek duyulmaz. 100mA maksimum kollektör akımı, 160MHz transition frekansı ve 50V Vce(Br) breakdow voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük sinyal seviyeleri gerektiren sensör arayüzleri, tetikleme devreleri ve DC anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 160 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok