Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR162E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR162
BCR162E6327HTSA1 Hakkında
BCR162E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç tüketimi ile çalışabilir. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 200 MHz geçiş frekansı ve 50 V yıkılma gerilimi özellikleriyle sunulmaktadır. Entegre 4.7 kΩ baz ve emitter-baz direnç değerleri ile hazır durumda kullanılabilir. Düşük güç tüketimli sinyal anahtarlaması, darbe oluşturma ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Yüzey montajlı montaj tipi ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok