Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR158E6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR158E6327
BCR158E6327HTSA1 Hakkında
BCR158E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA kolektör akımı ve 200 MHz geçiş frekansı kapasitesine sahiptir. Entegre 2.2 kOhm taban ve 47 kOhm emiter taban dirençleri ile önceden ayarlanmış yapısı sayesinde, düşük akım uygulamalarında direkt olarak kullanılabilir. 50V kolektör-emiter diyelectric gerilimi ve 200 mW güç dissipasyonu ile sinyal anahtarlaması, sürücü devreleri ve düşük güç lojik uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 300 mV doyum gerilimi stabil anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok