Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR148E6393HTSA1

TRANS PREBIAS PNP SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR148

BCR148E6393HTSA1 Hakkında

BCR148E6393HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter resistörleri (her biri 47 kΩ) ile önceden önyüklenmiş yapıda tasarlanmıştır. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 200 mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 MHz geçiş frekansı, düşük VCE doyum gerilimi (300mV @ 500µA, 10mA) ve 50V VCEO kırılma gerilimi ile sürücü devreleri, lojik arabirimleri ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında yer alır. Part status olarak Last Time Buy konumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 100 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Last Time Buy
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok