Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR148E6327HTSA1

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR148

BCR148E6327HTSA1 Hakkında

BCR148E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulur. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. İç olarak 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri entegre edilmiş ön beslemeli yapısı sayesinde basit devre uygulamalarında harici direnç ihtiyacını azaltır. 100MHz transition frequency'sine sahip olup, 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılabilir. Sinyal anahtarlaması, lojik devre uygulamaları ve entegre entegrator devrelerinde yaygın olarak tercih edilen bir komponenttir. Lütfen yeni tasarımlar için alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 100 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok