Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR142E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR142
BCR142E6327HTSA1 Hakkında
BCR142E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 200 mW güç yeteneği ve 100 mA maksimum collector akımı ile çalışır. Entegre 22 kOhm baz direnci ve 47 kOhm emitter-baz direnci içermektedir. 150 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 50V breakdown voltajı ve 70 minimum DC current gain özellikleriyle düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devreleri için uygun bir seçenektir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok