Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR135WH6327XTSA1
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR135
BCR135WH6327XTSA1 Hakkında
BCR135WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SC-70 (SOT-323-3) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, 250 mW güç kapasitesi ve 150 MHz transition frekansı ile düşük-orta frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10 kΩ baz direnci ve 47 kΩ emitter-baz direnci içeren dahili ön beslenme ağı sayesinde harici matching bileşenlerine ihtiyaç duymadan basit devre tasarımı sağlar. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 70 (5mA/5V nominal) DC akım kazancı ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve önyüklemeli uygulamalarda yer alır. 50 V BVCE ve 300 mV doyum gerilimi ile güvenilir performans sunar. Genellikle lojik seviye sürme, küçük sinyal amplifikasyonu ve gecikmesi olan devreler gibi uygulamalarda tercih edilir. Parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok