Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR135E6433HTMA1
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR135
BCR135E6433HTMA1 Hakkında
BCR135E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette gelmektedir. 200 mW güç disipasyonuna sahip bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 150 MHz transition frekansı ile çalışabilir. Entegre 10 kΩ taban direnci ve 47 kΩ emitter-taban direnci bulunmaktadır. Bileşen, anahtarlama devrelerinde, darbe şekillendirme uygulamalarında ve düşük seviyeli sinyal amplifikasyonunda kullanılmaktadır. 50 V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 300 mV saturasyon voltajı ile belirtilmiştir. Part status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok