Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR135E6359HTMA1
TRANS PREBIAS PNP SOT23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR135
BCR135E6359HTMA1 Hakkında
BCR135E6359HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri (10 kΩ ve 47 kΩ) içerir. 100 mA kolektör akımı ve 150 MHz transition frequency ile çalışır. Maksimum 50V collector-emitter breakdown voltajına ve 200mW güç dağıtımına sahiptir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde doğrudan uygulama kolaylığı sağlar. Anahtarlama devreleri, sinyal işleme uygulamaları ve lojik seviye shifter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Last Time Buy statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok