Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR135E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR135
BCR135E6327HTSA1 Hakkında
BCR135E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakete sahip bu bileşen, 200 mW güç dissipasyonuna kadar destekler ve 100 mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. Dahili 10 kΩ taban ve 47 kΩ emitter taban dirençleri ile önceden yapılandırılmış olup, anahtarlama uygulamalarında basit tasarım çözümü sağlar. 150 MHz geçiş frekansı ile orta hız uygulamaları için uygundur. 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 300mV saturasyon gerilimi ile genel amaçlı sinyal anahtarlaması, dijital arabirim bufferları, sensor arayüzleri ve düşük güçlü lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok