Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR133E6433HTMA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR133
BCR133E6433HTMA1 Hakkında
BCR133E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu komponent, entegre 10 kOhm base ve emitter-base direnç ağı ile basit tasarımlar için ideal çözüm sağlar. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 200 mW güç disipasyonu ve 50V VCE(BR) breakdown voltajı ile düşük gücü uygulamalarda kullanılır. 130 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Aydınlatma kontrolü, sinyal işleme ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Komponent eski tasarımlar için belirtilmiş olup yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok