Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR133E6393HTSA1

TRANS PREBIAS NPN SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR133

BCR133E6393HTSA1 Hakkında

BCR133E6393HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey monte pakette sunulan bu komponent, 100 mA kolektör akımı ve 130 MHz geçiş frekansında çalışabilir. Entegre 10 kΩ taban ve 10 kΩ emitör-taban dirençleri ile önceden tasarlanmış bir devre sağlar. 50 V kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 300 mV doyum gerilimi özellikleriyle, düşük güç uygulamalarında (maksimum 200 mW) kullanılır. DC akım kazancı 5mA kolektör akımında 30 (min) değerinde belirtilmiştir. Sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri tasarımında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 130 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Last Time Buy
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok