Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR133E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR133
BCR133E6327HTSA1 Hakkında
BCR133E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter direnç ağına sahiptir. 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde işlem yapabilir. 10kΩ baz ve 10kΩ emitter direnci dahil olup, basit sürücü ve sinyal işleme uygulamalarında hızlı entegrasyon sağlar. 200mW güç dağılımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve lojik seviyeleri değiştirme uygulamalarında yer alır. ICBO (kolektör cutoff akımı) 100nA ile düşük sızıntı akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok