Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR129E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR129
BCR129E6327HTSA1 Hakkında
BCR129E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistöründür. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç derecelendirmesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 100 mA maksimum kolektör akımı, 50 V breakdown voltajı ve 150 MHz transition frekansı ile genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde, lojik seviyelendirme devrelerinde ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında yer alır. Entegre 10 kΩ taban direnci ile ön beslemeli tasarımı, bağımsız taban direnci gereksinimliliğini azaltmaktadır. Part Status olarak 'Not For New Designs' statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok