Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

BCR119SE6327BTSA1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
BCR119SE6327BTSA1

BCR119SE6327BTSA1 Hakkında

BCR119SE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen çift NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-363 (6-VSSOP) yüksek entegrasyon paketinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 150MHz transition frequency ile çalışır. 250mW güç dissipasyonuna sahiptir. Entegre 4.7kOhm base dirençleri ile ön beslemeli yapısı sayesinde harici biyaslandırma devresi gerektirmez. 120 minimum DC current gain (hFE) ve 300mV maksimum VCE saturasyon voltajı ile karakterize edilmiştir. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uyundur. Analog sinyal kuvvetlendirmesi, lojik seviye geçişleri ve düşük gürültü uygulamalarında kullanılır. Kontrol devreleri, sensor ön-amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Yüzey montajı teknolojisi ile kompakt tasarımlar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 250mW
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Supplier Device Package PG-SOT363-6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok