Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR119E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR119
BCR119E6327HTSA1 Hakkında
BCR119E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir silisyum transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, entegre baz direnç (4.7 kΩ) ile donatılmış olup, lojik devreler ve darbe işleme uygulamalarında kullanılan bir anahtar elemanıdır. 50V Vce(br) maksimum kolektör-emiter kırılma gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 120 (minimum hFE @ 5mA, 5V) DC akım kazancı ile karakterize edilmiştir. 150 MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 200mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygun bir komponenttir. Ön beslemeli yapısı, baz direncinin entegre edilmesi nedeniyle tasarım basitliğini ve PCB alanını azaltır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve sensör ara yüzü uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok