Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR116WE6327BTSA1
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR116
BCR116WE6327BTSA1 Hakkında
BCR116WE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-323 (SC-70) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, maksimum 250 mW güç tüketimi ile çalışır. Transistör, 100 mA maksimum kolektor akımı ve 50 V kolektor-emitter gerilim dayanımına sahiptir. İçerisine entegre edilmiş 4.7 kΩ base direnci ve 47 kΩ emitter-base direnci barındırır. 150 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 70 (5 mA, 5V koşullarında) olarak belirtilmiştir. Entegre ön beslemeli direnç yapısı sayesinde harici ön beslemeli devre tasarımına gerek duymadan direkt kullanım imkanı sağlar. Düşük sinyalli anahtarlama, sürücü devreler ve mantık kademelerinde yaygın olarak uygulanır. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok