Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR116E6433HTMA1
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR116E6433
BCR116E6433HTMA1 Hakkında
BCR116E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 200 mW güç derecelendirilmesine sahiptir. Maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V VCE(BR)DSS ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. Gömülü 4.7 kΩ taban direnci ve 47 kΩ emitter taban direnci ile önceden ayarlanmış yapısı, basit anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde entegre edilmesi kolaylaştırır. 150 MHz transition frequency ile hızlı sinyal işleme uygulamalarında yer alabilir. Düşük ICBO (100 nA) karakteristiği ile sızıntı akımı minimaldır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve sensör arayüzü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Part Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok