Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR116E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR116
BCR116E6327HTSA1 Hakkında
BCR116E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz dirençleri (4.7 kΩ ve 47 kΩ) ile birlikte gelir. 200 mW güç kapasitesi, 100 mA maksimum kolektör akımı ve 150 MHz transition frequency ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V breakdown voltajı ve düşük ICBO (100nA) özelliği ile sinyal işleme, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygun bir seçimdir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ek baz direnci gerektirmez ve kompakt tasarımlar için ideal bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok