Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR112WH6327XTSA1
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR112
BCR112WH6327XTSA1 Hakkında
BCR112WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistörtür. SOT-323 (SC-70) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 250 mW güç dağıtımı kapasitesine ve 100 mA maksimum kollektör akımına sahiptir. 140 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 4.7 kOhm baz ve emitter-baz direnç ağları sayesinde basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. 50 V kollektör-emitter breakdown voltajı ile orta seviye güç uygulamalarında çalışabilir. Sinyal amplifikasyonu, dijital mantık arayüzleri ve küçük güç anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Parça yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 140 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok